晶体管是一种让电路的一部分去控制另一部分电流的器件。要快速比较 BJT 和 MOSFET，核心概念很简单：BJT 由基极电流控制，而 MOSFET 主要由栅源电压控制。
两者都可以作为开关使用，在合适条件下也都能用于放大。区别在于控制是如何实现的，以及驱动电路必须提供什么。
BJT 和 MOSFET 有什么区别？
BJT 有三个端子：基极、集电极和发射极。用最基本的方式理解时，只要晶体管被偏置在合适的工作区，一个较小的基极电流就可以控制一个较大的集电极—发射极电流。
MOSFET 有栅极、漏极和源极。栅极是绝缘的，因此栅极电压会产生电场，从而改变漏极和源极之间是否能够导通电流。
这就是为什么人们常常把两者的区别概括为：
- BJT 在输入端需要驱动电流。
- MOSFET 主要需要合适的输入电压。
这些总结很有用，但只有在电路条件符合预期工作模式时才成立。
用通俗语言理解 BJT
在入门电路中，关于 BJT 最核心的概念是：在常见的 NPN 接法中，基极—发射极结必须正向偏置，晶体管才会正常导通。如果满足这个条件，集电极电流可以远大于基极电流。
在放大区，一个常见近似是
其中 是集电极电流， 是基极电流， 是电流增益。
这有助于建立直觉，但它不是放之四海而皆准的捷径。如果你把 BJT 当作开关使用，设计目标通常是让它进入饱和区，而不是精确地在放大区工作。
不再混淆地理解 MOSFET
对于增强型 MOSFET，重要的控制变量是栅源电压 。如果 太低，沟道会很弱，甚至根本没有形成。如果对于该器件和负载来说 足够高，电流就可以较强地流动。
由于栅极是绝缘的，所以在稳态下栅极通常只吸收很小的电流。这也是 MOSFET 被广泛用于数字电路和功率开关的原因之一。
初学者最常见的错误，是把阈值电压当成“完全导通”的电压。阈值通常只表示在某个测试条件下开始导通的点，并不能保证在你的负载电流下具有低电阻或高效开关性能。
一个完整例子：用微控制器切换负载
假设一个 微控制器需要切换一个 的负载。
如果用 NPN BJT 作为开关，你需要一个基极电阻，并且要有足够的基极电流让晶体管进入饱和。若为了留出设计裕量，选取约 的强迫电流增益，那么 的集电极电流大致意味着需要约 的基极电流。这已经可能接近某些微控制器引脚的极限。
如果用 逻辑电平 n 沟道 MOSFET 作为低端开关，控制引脚主要需要提供合适的栅极电压，而不是持续的栅极电流。在稳态工作时，这通常对微控制器来说更容易。这里有一个重要前提：该 MOSFET 必须确实能够在你可提供的栅极电压下良好导通。
这个例子清楚地展示了实际中的权衡。如果控制信号能提供电压、但不能提供太大电流，那么 MOSFET 往往是更容易使用的开关。如果电流不大且电路简单，BJT 仍然可能是完全合理的选择。
人们什么时候选 BJT，什么时候选 MOSFET
BJT 常见于小信号模拟级、教材中的放大电路、电流镜以及简单的开关任务。
MOSFET 常见于数字逻辑、功率电子、电压调节，以及需要高输入阻抗的电路中。
没有哪一种器件天然就更好。正确选择取决于负载电流、可用驱动信号、速度、功耗，以及电路主要是模拟用途还是开关用途。
晶体管题目中的常见错误
在错误的场景下使用
这个关系最适合用于放大区分析。对于所有开关设计，把它当成安全假设是不对的。
把 MOSFET 的阈值电压当成所需的导通电压
MOSFET 即使高于阈值，也可能作为开关表现很差。一定要检查器件是在什么条件下才能达到较低导通电阻。
忘记 MOSFET 的栅极具有电容特性
在稳态下，栅极电流通常很小，但在开关过程中，栅极仍然需要充电和放电。当速度很重要时，这一点就很关键。
忽略发热
任何在承载电流时仍有明显压降的晶体管，都可能耗散可观的功率。真实器件都有热极限。
为什么这在物理学中很重要
晶体管把半导体物理和真实器件连接起来。BJT 依赖于载流子跨结注入，而 MOSFET 依赖于控制沟道的电场。
如果这个物理图景清楚了，电路行为就不会显得那么随意。你不是在死记图上的符号，而是在追踪电荷和电场如何控制电流。
试试一个类似情形
拿一个简单的开关电路，先问两个问题：控制源是否能轻松提供电流？器件主要需要作为开关工作，还是主要作为放大器工作？如果你想再练习一个例子，可以自己换一个不同的负载电流，比较一下 BJT 和 MOSFET 哪个更合适。